Tento článek představuje aplikaci SiC MOS

Jako důležitý základní materiál pro vývoj polovodičového průmyslu třetí generace má MOSFET z karbidu křemíku vyšší spínací frekvenci a teplotu použití, což může snížit velikost součástí, jako jsou induktory, kondenzátory, filtry a transformátory, zlepšit účinnost přeměny energie. systému a snížit požadavky na rozptyl tepla pro tepelný cyklus.V systémech výkonové elektroniky může použití zařízení MOSFET z karbidu křemíku místo tradičních zařízení IGBT z křemíku dosáhnout nižšího spínání a ztráty při zapnutí a zároveň mít vyšší blokovací napětí a lavinovitou kapacitu, což výrazně zlepšuje účinnost systému a hustotu výkonu, čímž snižuje komplexní náklady na systém.

Za prvé, typické průmyslové aplikace

Mezi hlavní aplikační oblasti MOSFET z karbidu křemíku patří: napájecí modul nabíjecí piloty, fotovoltaický střídač, optická úložná jednotka, klimatizace nových energetických vozidel, nové energetické vozidlo OBC, průmyslové napájení, motorový pohon atd.

1. Napájecí modul nabíjecí hromady

Se vznikem 800V platformy pro nová energetická vozidla se hlavní nabíjecí modul také vyvinul z předchozího hlavního proudu 15, 20 kW na 30, 40 kW, s rozsahem výstupního napětí 300 VD-1000 V DC, a má funkci obousměrného nabíjení, aby vyhovoval technické požadavky V2G/V2H.

2. Fotovoltaický střídač

Pod energickým rozvojem celosvětové obnovitelné energie se fotovoltaický průmysl rychle rozrostl a celkový trh s fotovoltaickými střídačmi také vykazoval rychlý vývojový trend.

3. Optický skladovací stroj

Optická úložná jednotka využívá technologii řízení výkonové elektroniky k dosažení přenosu energie prostřednictvím inteligentního řízení, koordinovaného řízení fotovoltaických a akumulátorových baterií, hladkého kolísání výkonu a výstupní střídavé elektrické energie, která splňuje standardní požadavky na dodávku energie do zátěže prostřednictvím měniče pro ukládání energie. technologie, aby vyhovovala multi-scénářové aplikaci na uživatelské straně, a je široce používána ve fotovoltaických elektrárnách mimo síť, distribuovaných záložních zdrojích energie, elektrárnách pro skladování energie a dalších příležitostech.

4. Nová energetická klimatizace vozidla

Se vzestupem 800V platformy v nových energetických vozidlech se SiC MOS stal první volbou na trhu se svými výhodami vysokého tlaku a vysoké účinnosti, malou velikostí čipu a tak dále.

5. Vysoký výkon OBC

Použití vyšší spínací frekvence SiC MOS v třífázovém obvodu OBC může snížit objem a hmotnost magnetických součástek, zlepšit účinnost a hustotu výkonu, zatímco vysoké napětí systémové sběrnice výrazně snižuje počet napájecích zařízení, usnadňuje návrh obvodu a zlepšuje spolehlivost.

6. Průmyslové napájení

Průmyslové napájecí zdroje se používají hlavně v lékařských napájecích zdrojích, laserových napájecích zdrojích, invertorových svařovacích strojích, vysokovýkonných DC-DC napájecích zdrojích, pásovém traktoru atd., Potřebujete vysokonapěťové, vysokofrekvenční a vysoce účinné aplikační scénáře.